集微咨询：第三代半导体发展驶向快车道-SiC发展得衬底者得天下

集微咨询（JW insights）认为：

- 随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟，其生产成本也在不断降低，第三代半导体发展正驶向快车道；

- SiC产业格局呈现美欧日三足鼎立态势，但中国大陆在全产业链均有布局；

- 2022年Q1预计4英寸半绝缘晶圆仍是市场主流，2022下半年慢慢转向6英寸；

- 第三代半导体发展关键为SiC衬底，这也是SiC领导厂商寡占市场的主因，大陆仍面临衬底技术瓶颈。

半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。当前，在全球推进“碳达峰”、实现“碳中和”的趋势浪潮下，第三代化合物半导体正在加速发展。而以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一。

图源：台湾工研院产科研究所

全国近四成省份同步发展第三代半导体

相比第一代与第二代半导体材料，第三代半导体材料是具有较大禁带宽度（禁带宽度>2.2eV）的半导体材料。第三代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO）等，这些材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面优点突出，因此更适用于高温、高频的场合。

近年来，随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟，其生产成本也在不断降低，第三代半导体正以其优良的性能突破传统硅基材料的瓶颈，逐步进入硅基半导体市场，有望引领新一轮产业革命。

当前，包括中国、欧洲、美国、日本、韩国等在内的国家或地区都纷纷开始制定计划，大力发展第三代半导体产业。

中国高度重视第三代半导体产业，并推出了一系列“组合拳”政策促进发展。2021年“十四五”规划提出要瞄准集成电路等前沿领域，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。集微咨询（JW insights）整理发现，中国已有超13省“十四五”规划重点提及第三代半导体。据不完全统计，2020年所披露全国新开工以及新签约第三代半导体产业项目的投资总额已超400亿元。2020年，我国第三代半导体领域融资超15笔，总融资规模超35亿元；2021上半年，我国第三代半导体领域融资超10笔。

集微咨询（JW insights）认为：

- 随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟，其生产成本也在不断降低，第三代半导体发展正驶向快车道；

- SiC产业格局呈现美欧日三足鼎立态势，但中国大陆在全产业链均有布局；

- 2022年Q1预计4英寸半绝缘晶圆仍是市场主流，2022下半年慢慢转向6英寸；

- 第三代半导体发展关键为SiC衬底，这也是SiC领导厂商寡占市场的主因，大陆仍面临衬底技术瓶颈。

半导体材料是半导体产业链上游中的重要组成部分，在集成电路、分立器件等半导体产品生产制造中起到关键性的作用。当前，在全球推进“碳达峰”、实现“碳中和”的趋势浪潮下，第三代化合物半导体正在加速发展。而以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一。

图源：台湾工研院产科研究所

全国近四成省份同步发展第三代半导体

相比第一代与第二代半导体材料，第三代半导体材料是具有较大禁带宽度（禁带宽度>2.2eV）的半导体材料。第三代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO）等，这些材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面优点突出，因此更适用于高温、高频的场合。

近年来，随着SiC、GaN器件的制备工艺逐步成熟，其生产成本也在不断降低，第三代半导体正以其优良的性能突破传统硅基材料的瓶颈，逐步进入硅基半导体市场，有望引领新一轮产业革命。

当前，包括中国、欧洲、美国、日本、韩国等在内的国家或地区都纷纷开始制定计划，大力发展第三代半导体产业。

中国高度重视第三代半导体产业，并推出了一系列“组合拳”政策促进发展。2021年“十四五”规划提出要瞄准集成电路等前沿领域，推动碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。集微咨询（JW insights）整理发现，中国已有超13省“十四五”规划重点提及第三代半导体。据不完全统计，2020年所披露全国新开工以及新签约第三代半导体产业项目的投资总额已超400亿元。2020年，我国第三代半导体领域融资超15笔，总融资规模超35亿元；2021上半年，我国第三代半导体领域融资超10笔。

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